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IRG8CH42K10D

IRG8CH42K10D

僅供參考

型號 IRG8CH42K10D
PNEDA編號 IRG8CH42K10D
描述 IGBT 1200V 40A DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8CH42K10D資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8CH42K10D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG8CH42K10D規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

200W

開關能量

2.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/180ns

測試條件

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

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180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 60A

功率-最大

500W

開關能量

2.6mJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

106nC

25°C時的Td(開/關)

44ns/166ns

測試條件

400V, 60A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

346ns

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

370A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

功率-最大

830W

開關能量

5.5mJ (on), 5.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

470nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/275ns

測試條件

600V, 100A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

56A

電流-集電極脈沖(Icm)

156A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 24A

功率-最大

190W

開關能量

440µJ (on), 700µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

77nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/200ns

測試條件

400V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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