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IRG8CH42K10D

IRG8CH42K10D

僅供參考

型號 IRG8CH42K10D
PNEDA編號 IRG8CH42K10D
描述 IGBT 1200V 40A DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 24 - 九月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8CH42K10D資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8CH42K10D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG8CH42K10D規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電流-集電極脈沖(Icm)

16A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 4A

功率-最大

40W

開關能量

900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13.6nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/390ns

測試條件

800V, 4A, 120Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

功率-最大

178W

開關能量

480µJ (on), 490µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

84nC

25°C時的Td(開/關)

37ns/114ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

370A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

功率-最大

830W

開關能量

5.5mJ (on), 5.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

470nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/275ns

測試條件

600V, 100A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 32A

功率-最大

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輸入類型

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門禁費用

155nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/270ns

測試條件

1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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