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IRG8CH76K10F

IRG8CH76K10F

僅供參考

型號 IRG8CH76K10F
PNEDA編號 IRG8CH76K10F
描述 IGBT CHIP WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8CH76K10F資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8CH76K10F
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRG8CH76K10F, IRG8CH76K10F數據表 (總頁數: 4, 大小: 197.05 KB)
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IRG8CH76K10F規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 75A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用480nC
25°C時的Td(開/關)80ns/210ns
測試條件600V, 75A, 1.5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

41nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/150ns

測試條件

480V, 24A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

7.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

功率-最大

38W

開關能量

19µJ (on), 12µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/60ns

測試條件

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

85ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

D2PAK

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 60A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

134nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Die

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