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IRG8P45N65UD1PBF

IRG8P45N65UD1PBF

僅供參考

型號 IRG8P45N65UD1PBF
PNEDA編號 IRG8P45N65UD1PBF
描述 G8 650V 45A CO-PAK-247
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8P45N65UD1PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8P45N65UD1PBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG8P45N65UD1PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 60A

功率-最大

750W

開關能量

1.6mJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

107nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/90ns

測試條件

400V, 60A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

85A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

313W

開關能量

1.21mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

270nC

25°C時的Td(開/關)

-/270ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

79A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.74V @ 15V, 40A

功率-最大

230W

開關能量

860µJ (on), 400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/130ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

73ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

580A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 75A

功率-最大

1040W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

350nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.5µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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