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IRL2910STRL

IRL2910STRL

僅供參考

型號 IRL2910STRL
PNEDA編號 IRL2910STRL
描述 MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL2910STRL資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL2910STRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL2910STRL, IRL2910STRL數據表 (總頁數: 11, 大小: 338.21 KB)
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IRL2910STRL規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)55A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

182mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.25V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

850mW (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

CPT3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7600pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 520µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1420pF @ 100V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

107mOhm @ 8A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

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