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IRL3103L

IRL3103L

僅供參考

型號 IRL3103L
PNEDA編號 IRL3103L
描述 MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL3103L資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL3103L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL3103L, IRL3103L數據表 (總頁數: 11, 大小: 128.28 KB)
PDFIRL3103STRR數據表 封面
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IRL3103L規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)64A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1650pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)94W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Ta), 19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1019pF @ 25V

FET功能

-

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 50V

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功耗(最大值)

2W (Ta)

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