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IRL540NSTRRPBF

IRL540NSTRRPBF

僅供參考

型號 IRL540NSTRRPBF
PNEDA編號 IRL540NSTRRPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL540NSTRRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL540NSTRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRL540NSTRRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs44mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs74nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

400mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

83pF @ 24V

FET功能

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1.75A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

374pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.9W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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2.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

745pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

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