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IRL5602SPBF

IRL5602SPBF

僅供參考

型號 IRL5602SPBF
PNEDA編號 IRL5602SPBF
描述 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL5602SPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL5602SPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL5602SPBF, IRL5602SPBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 238.6 KB)
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IRL5602SPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1460pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)75W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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9.7A (Ta), 75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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FET功能

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3688pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

187W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

IRFH6200TR2PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.95mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10890pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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