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IRLR3714ZTRRPBF

IRLR3714ZTRRPBF

僅供參考

型號 IRLR3714ZTRRPBF
PNEDA編號 IRLR3714ZTRRPBF
描述 MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLR3714ZTRRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLR3714ZTRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLR3714ZTRRPBF, IRLR3714ZTRRPBF數據表 (總頁數: 12, 大小: 262.83 KB)
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IRLR3714ZTRRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)37A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.55V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.1nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds560pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 28.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

257nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12065pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 250W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

43W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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24A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2405pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 65W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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