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IRLS3036TRRPBF

IRLS3036TRRPBF

僅供參考

型號 IRLS3036TRRPBF
PNEDA編號 IRLS3036TRRPBF
描述 MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLS3036TRRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLS3036TRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLS3036TRRPBF, IRLS3036TRRPBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 355.13 KB)
PDFAUIRLSL3036數據表 封面
AUIRLSL3036數據表 頁面 2 AUIRLSL3036數據表 頁面 3 AUIRLSL3036數據表 頁面 4 AUIRLSL3036數據表 頁面 5 AUIRLSL3036數據表 頁面 6 AUIRLSL3036數據表 頁面 7 AUIRLSL3036數據表 頁面 8 AUIRLSL3036數據表 頁面 9 AUIRLSL3036數據表 頁面 10

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IRLS3036TRRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)195A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11210pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)380W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247AC

包裝/箱

TO-247-3

IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ P7

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 410µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1544pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

95W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RDN150N20FU6

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1224pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220FN

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

SSM3K131TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

41A (Ta), 237A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 170µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 128W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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