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IS42S16100H-6BL

IS42S16100H-6BL

僅供參考

型號 IS42S16100H-6BL
PNEDA編號 IS42S16100H-6BL
描述 IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S16100H-6BL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S16100H-6BL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S16100H-6BL, IS42S16100H-6BL數據表 (總頁數: 83, 大小: 1,625.04 KB)
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IS42S16100H-6BL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (6.4x10.1)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

288Kb (16K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

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100-TQFP (14x14)

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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