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IS42S83200B-6T-TR

IS42S83200B-6T-TR

僅供參考

型號 IS42S83200B-6T-TR
PNEDA編號 IS42S83200B-6T-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S83200B-6T-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S83200B-6T-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S83200B-6T-TR, IS42S83200B-6T-TR數據表 (總頁數: 62, 大小: 762.8 KB)
PDFIS42S16160B-6BLI-TR數據表 封面
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IS42S83200B-6T-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝54-TSOP II

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安裝類型

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包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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Toshiba Memory America, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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