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IS43DR16128B-3DBL-TR

IS43DR16128B-3DBL-TR

僅供參考

型號 IS43DR16128B-3DBL-TR
PNEDA編號 IS43DR16128B-3DBL-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43DR16128B-3DBL-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43DR16128B-3DBL-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43DR16128B-3DBL-TR, IS43DR16128B-3DBL-TR數據表 (總頁數: 48, 大小: 1,068.32 KB)
PDFIS43DR82560B-3DBL數據表 封面
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IS43DR16128B-3DBL-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-TFBGA
供應商設備包裝84-TWBGA (10.5x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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