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IS45S32200E-7TLA2-TR

IS45S32200E-7TLA2-TR

僅供參考

型號 IS45S32200E-7TLA2-TR
PNEDA編號 IS45S32200E-7TLA2-TR
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS45S32200E-7TLA2-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS45S32200E-7TLA2-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS45S32200E-7TLA2-TR, IS45S32200E-7TLA2-TR數據表 (總頁數: 59, 大小: 1,222.7 KB)
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IS45S32200E-7TLA2-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小64Mb (2M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率143MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝86-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

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