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IS61DDB22M18A-250B4LI

IS61DDB22M18A-250B4LI

僅供參考

型號 IS61DDB22M18A-250B4LI
PNEDA編號 IS61DDB22M18A-250B4LI
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61DDB22M18A-250B4LI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61DDB22M18A-250B4LI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61DDB22M18A-250B4LI, IS61DDB22M18A-250B4LI數據表 (總頁數: 29, 大小: 755.26 KB)
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IS61DDB22M18A-250B4LI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, DDR II
內存大小36Mb (2M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間8.4ns
電壓-供電1.71V ~ 1.89V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-LFBGA (13x15)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

3ms

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-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

87MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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工作溫度

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