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ISL9V5045S3ST

ISL9V5045S3ST

僅供參考

型號 ISL9V5045S3ST
PNEDA編號 ISL9V5045S3ST
描述 IGBT 480V 51A 300W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,584
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL9V5045S3ST資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL9V5045S3ST
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
ISL9V5045S3ST, ISL9V5045S3ST數據表 (總頁數: 11, 大小: 601.89 KB)
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ISL9V5045S3ST規格

制造商ON Semiconductor
系列EcoSPARK®
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)480V
當前-集電極(Ic)(最大值)51A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.6V @ 4V, 10A
功率-最大300W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用32nC
25°C時的Td(開/關)-/10.8µs
測試條件300V, 1kOhm, 5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 20A

功率-最大

140W

開關能量

900µJ (on), 400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

300V, 20A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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75A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 37A

功率-最大

45W

開關能量

650µJ (on), 270µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/135ns

測試條件

300V, 37A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3PFM, SC-93-3

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TO-3PFM

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Infineon Technologies

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*

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

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ON Semiconductor

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 40A

功率-最大

290W

開關能量

1.13mJ (on), 310µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/115ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

45ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 10A

功率-最大

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100µJ (on), 130µJ (off)

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門禁費用

13nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

300V, 10A, 5Ohm, 15V

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