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IXBH16N170A

IXBH16N170A

僅供參考

型號 IXBH16N170A
PNEDA編號 IXBH16N170A
描述 IGBT 1700V 16A 150W TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBH16N170A資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBH16N170A
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBH16N170A, IXBH16N170A數據表 (總頁數: 2, 大小: 51.85 KB)
PDFIXBT16N170A數據表 封面
IXBT16N170A數據表 頁面 2

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IXBH16N170A規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic6V @ 15V, 10A
功率-最大150W
開關能量1.2mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用65nC
25°C時的Td(開/關)15ns/160ns
測試條件1360V, 10A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)360ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXBH)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

450W

開關能量

3.2mJ (on), 1.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.59V @ 15V, 11A

功率-最大

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開關能量

52µJ (on), 231µJ (off)

輸入類型

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門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

37ns/111ns

測試條件

400V, 11A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 15V, 15A

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133nC

25°C時的Td(開/關)

-/282ns

測試條件

600V, 15A, 14.8Ohm, 15V

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Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 6A

功率-最大

89W

開關能量

390µJ (on), 330µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/100ns

測試條件

600V, 6A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

160ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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