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IXBH9N160G

IXBH9N160G

僅供參考

型號 IXBH9N160G
PNEDA編號 IXBH9N160G
描述 IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 10 - 二月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBH9N160G資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBH9N160G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBH9N160G, IXBH9N160G數據表 (總頁數: 4, 大小: 78.36 KB)
PDFIXBH9N160G數據表 封面
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IXBH9N160G規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1600V
當前-集電極(Ic)(最大值)9A
電流-集電極脈沖(Icm)10A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic7V @ 15V, 5A
功率-最大100W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用34nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件960V, 5A, 27Ohm, 10V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXBH)

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

112A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

功率-最大

250W

開關能量

1.29mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

44ns/291ns

測試條件

400V, 30A, 11Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.65V @ 15V, 20A

功率-最大

341W

開關能量

480µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

-/170ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

305W

開關能量

490µJ (on), 160µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/175ns

測試條件

400V, 25A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

52ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

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58nC

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測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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