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IXBH9N160G

IXBH9N160G

僅供參考

型號 IXBH9N160G
PNEDA編號 IXBH9N160G
描述 IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 16 - 三月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBH9N160G資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBH9N160G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBH9N160G, IXBH9N160G數據表 (總頁數: 4, 大小: 78.36 KB)
PDFIXBH9N160G數據表 封面
IXBH9N160G數據表 頁面 2 IXBH9N160G數據表 頁面 3 IXBH9N160G數據表 頁面 4

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IXBH9N160G規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1600V
當前-集電極(Ic)(最大值)9A
電流-集電極脈沖(Icm)10A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic7V @ 15V, 5A
功率-最大100W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用34nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件960V, 5A, 27Ohm, 10V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXBH)

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

88A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

326W

開關能量

1.46mJ (on), 1.29mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

58nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/115ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247N

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IXYS

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.7V @ 20V, 100A

功率-最大

300W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

84nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-268

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

42A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

125W

開關能量

160µJ (on), 60µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/165ns

測試條件

400V, 10A, 32Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

53ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

PG-TO220-3

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.65V @ 15V, 50A

功率-最大

312W

開關能量

4.1mJ (on), 960µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/190ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

350ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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門禁費用

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