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IXBT42N170

IXBT42N170

僅供參考

型號 IXBT42N170
PNEDA編號 IXBT42N170
描述 IGBT 1700V 80A 360W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 9,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBT42N170資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBT42N170
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBT42N170, IXBT42N170數據表 (總頁數: 5, 大小: 175.74 KB)
PDFIXBH42N170數據表 封面
IXBH42N170數據表 頁面 2 IXBH42N170數據表 頁面 3 IXBH42N170數據表 頁面 4 IXBH42N170數據表 頁面 5

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IXBT42N170規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 42A
功率-最大360W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用188nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)1.32µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

功率-最大

468W

開關能量

1mJ (on), 1.32mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

187nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/152ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

488ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

144A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 48A

功率-最大

330W

開關能量

625µJ (on), 1.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/145ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

115ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

63A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 18A

功率-最大

290W

開關能量

642µJ (on), 382µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

84nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/104ns

測試條件

600V, 18A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

電流-集電極脈沖(Icm)

280A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 70A

功率-最大

961W

開關能量

3.82mJ (on), 2.58mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

544nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/278ns

測試條件

600V, 70A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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安裝類型

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