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IXBT42N170A

IXBT42N170A

僅供參考

型號 IXBT42N170A
PNEDA編號 IXBT42N170A
描述 IGBT 1700V 42A 357W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 23 - 三月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBT42N170A資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBT42N170A
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBT42N170A, IXBT42N170A數據表 (總頁數: 6, 大小: 236.83 KB)
PDFIXBT42N170A數據表 封面
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IXBT42N170A規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)42A
電流-集電極脈沖(Icm)265A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic6V @ 15V, 21A
功率-最大357W
開關能量3.43mJ (on), 430µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用188nC
25°C時的Td(開/關)19ns/200ns
測試條件850V, 21A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)330ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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31A

電流-集電極脈沖(Icm)

62A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

功率-最大

139W

開關能量

570µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

76nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 15A, 21Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.4V @ 15V, 20A

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開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

-

反向恢復時間(trr)

21ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

420W

開關能量

2.8mJ (on), 2.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

345nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/240ns

測試條件

600V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

210ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-集電極脈沖(Icm)

129A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 47A

功率-最大

337W

開關能量

875µJ (on), 425µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/82ns

測試條件

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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