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IXDT30N120

IXDT30N120

僅供參考

型號 IXDT30N120
PNEDA編號 IXDT30N120
描述 IGBT 1200V 60A 300W TO268AA
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 2 - 三月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDT30N120資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDT30N120
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXDT30N120, IXDT30N120數據表 (總頁數: 4, 大小: 84.66 KB)
PDFIXDT30N120數據表 封面
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IXDT30N120規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.9V @ 15V, 30A
功率-最大300W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用120nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 8A

功率-最大

125W

開關能量

460µJ (on), 180µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13.3nC

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測試條件

450V, 8A, 30Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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Infineon Technologies

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 15V, 20A

功率-最大

288W

開關能量

750µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

-/260ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 50A

功率-最大

400W

開關能量

3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/410ns

測試條件

480V, 50A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

TO-264 (IXGK)

制造商

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系列

HiPerFAST™, Lightspeed 2™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

500A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 100A

功率-最大

300W

開關能量

1.7mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

370nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/120ns

測試條件

400V, 80A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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