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IXFA230N075T2-7

IXFA230N075T2-7

僅供參考

型號 IXFA230N075T2-7
PNEDA編號 IXFA230N075T2-7
描述 MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFA230N075T2-7資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFA230N075T2-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFA230N075T2-7, IXFA230N075T2-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 173.66 KB)
PDFIXFA230N075T2-7數據表 封面
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IXFA230N075T2-7規格

制造商IXYS
系列GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)230A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs178nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263-7 (IXTA..7)
包裝/箱TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

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Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

294nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 348W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263-7

包裝/箱

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

NVMTS0D6N04CLTXG

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8340pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

735W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 540µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1985pF @ 400V

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功耗(最大值)

192W (Tc)

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