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IXFH14N100Q

IXFH14N100Q

僅供參考

型號 IXFH14N100Q
PNEDA編號 IXFH14N100Q
描述 MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH14N100Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH14N100Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFH14N100Q規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs750mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs170nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 279µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15600pF @ 50V

FET功能

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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