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IXFH150N17T

IXFH150N17T

僅供參考

型號 IXFH150N17T
PNEDA編號 IXFH150N17T
描述 MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFH150N17T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFH150N17T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFH150N17T, IXFH150N17T數據表 (總頁數: 5, 大小: 157.73 KB)
PDFIXFH150N17T數據表 封面
IXFH150N17T數據表 頁面 2 IXFH150N17T數據表 頁面 3 IXFH150N17T數據表 頁面 4 IXFH150N17T數據表 頁面 5

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IXFH150N17T規格

制造商IXYS
系列TrenchHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)175V
電流-25°C時的連續漏極(Id)150A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs155nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)830W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247AD (IXFH)
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

215nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8590pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

780W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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