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IXFN132N50P3

IXFN132N50P3

僅供參考

型號 IXFN132N50P3
PNEDA編號 IXFN132N50P3
描述 MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN132N50P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN132N50P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN132N50P3, IXFN132N50P3數據表 (總頁數: 6, 大小: 168.51 KB)
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IXFN132N50P3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, Polar3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)112A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs250nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds18600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1500W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

118nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 15V

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-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15Ohm @ 400mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.9nC @ 10V

Vgs(最大)

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