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IXFP5N100P

IXFP5N100P

僅供參考

型號 IXFP5N100P
PNEDA編號 IXFP5N100P
描述 MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFP5N100P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFP5N100P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFP5N100P, IXFP5N100P數據表 (總頁數: 4, 大小: 155.53 KB)
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IXFA5N100P數據表 頁面 2 IXFA5N100P數據表 頁面 3 IXFA5N100P數據表 頁面 4

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IXFP5N100P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33.4nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1830pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

708pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2180pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.1W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.5A (Ta), 18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1385pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 27W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

808pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2355pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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