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IXFV26N60PS

IXFV26N60PS

僅供參考

型號 IXFV26N60PS
PNEDA編號 IXFV26N60PS
描述 MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFV26N60PS資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFV26N60PS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFV26N60PS, IXFV26N60PS數據表 (總頁數: 5, 大小: 197.45 KB)
PDFIXFV26N60PS數據表 封面
IXFV26N60PS數據表 頁面 2 IXFV26N60PS數據表 頁面 3 IXFV26N60PS數據表 頁面 4 IXFV26N60PS數據表 頁面 5

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IXFV26N60PS規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs72nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4150pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)460W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PLUS-220SMD
包裝/箱PLUS-220SMD

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1270pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 29W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

295pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

86mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

125pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

740mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3060pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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