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IXFX120N25P

IXFX120N25P

僅供參考

型號 IXFX120N25P
PNEDA編號 IXFX120N25P
描述 MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX120N25P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX120N25P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX120N25P, IXFX120N25P數據表 (總頁數: 5, 大小: 123.15 KB)
PDFIXFX120N25P數據表 封面
IXFX120N25P數據表 頁面 2 IXFX120N25P數據表 頁面 3 IXFX120N25P數據表 頁面 4 IXFX120N25P數據表 頁面 5

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IXFX120N25P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™ HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs185nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)700W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

53A (Ta), 378A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

128nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 69A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1683pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

770mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.3A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.8V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2210pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3346pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 29.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

-

功耗(最大值)

392W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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