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IXFX120N30T

IXFX120N30T

僅供參考

型號 IXFX120N30T
PNEDA編號 IXFX120N30T
描述 MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX120N30T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX120N30T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX120N30T, IXFX120N30T數據表 (總頁數: 5, 大小: 139.2 KB)
PDFIXFK120N30T數據表 封面
IXFK120N30T數據表 頁面 2 IXFK120N30T數據表 頁面 3 IXFK120N30T數據表 頁面 4 IXFK120N30T數據表 頁面 5

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IXFX120N30T規格

制造商IXYS
系列GigaMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs265nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds20000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)960W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.5A (Ta), 47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1880pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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AUIRL1404S

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 95A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

122nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10100pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

175°C

安裝類型

Surface Mount

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

550mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

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FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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