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IXGH60N60B2

IXGH60N60B2

僅供參考

型號 IXGH60N60B2
PNEDA編號 IXGH60N60B2
描述 IGBT 600V 75A 500W TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 26 - 五月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGH60N60B2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGH60N60B2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGH60N60B2, IXGH60N60B2數據表 (總頁數: 5, 大小: 578.99 KB)
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IXGT60N60B2數據表 頁面 2 IXGT60N60B2數據表 頁面 3 IXGT60N60B2數據表 頁面 4 IXGT60N60B2數據表 頁面 5

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IXGH60N60B2規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.8V @ 15V, 50A
功率-最大500W
開關能量1mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用170nC
25°C時的Td(開/關)28ns/160ns
測試條件400V, 50A, 3.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXGH)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 7A

功率-最大

54W

開關能量

70µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

9ns/65ns

測試條件

480V, 7A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263 (IXGA)

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

112A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

功率-最大

250W

開關能量

1.29mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

44ns/291ns

測試條件

400V, 30A, 11Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

PG-TO263-3

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Rohm Semiconductor

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 4A

功率-最大

65W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

13.5nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/69ns

測試條件

400V, 4A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 5A

功率-最大

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測試條件

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