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IXST15N120B

IXST15N120B

僅供參考

型號 IXST15N120B
PNEDA編號 IXST15N120B
描述 IGBT 1200V 30A 150W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXST15N120B資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXST15N120B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXST15N120B, IXST15N120B數據表 (總頁數: 2, 大小: 54.61 KB)
PDFIXST15N120B數據表 封面
IXST15N120B數據表 頁面 2

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IXST15N120B規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電流-集電極脈沖(Icm)60A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.4V @ 15V, 15A
功率-最大150W
開關能量1.5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用57nC
25°C時的Td(開/關)30ns/148ns
測試條件960V, 15A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 100A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

600nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/230ns

測試條件

600V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 75A

功率-最大

375W

開關能量

2.85mJ (on), 1.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

578nC

25°C時的Td(開/關)

32ns/166ns

測試條件

400V, 75A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

85ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.56V @ 15V, 10A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

4.8nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/90ns

測試條件

600V, 10A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 50A

功率-最大

333W

開關能量

2.6mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

310nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/299ns

測試條件

400V, 50A, 7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

143ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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