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IXTA60N10T

IXTA60N10T

僅供參考

型號 IXTA60N10T
PNEDA編號 IXTA60N10T
描述 MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 9,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTA60N10T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTA60N10T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTA60N10T規格

制造商IXYS
系列TrenchMV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs49nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2650pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)176W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXTA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.75Ohm @ 415mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4730pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

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