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IXTC36P15P

IXTC36P15P

僅供參考

型號 IXTC36P15P
PNEDA編號 IXTC36P15P
描述 MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220
制造商 IXYS
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庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTC36P15P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTC36P15P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTC36P15P, IXTC36P15P數據表 (總頁數: 2, 大小: 122.54 KB)
PDFIXTC36P15P數據表 封面
IXTC36P15P數據表 頁面 2

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IXTC36P15P規格

制造商IXYS
系列PolarP™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2950pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS220™
包裝/箱ISOPLUS220™

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.3pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

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2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 85W (Tc)

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