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IXTK110N20L2

IXTK110N20L2

僅供參考

型號 IXTK110N20L2
PNEDA編號 IXTK110N20L2
描述 MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTK110N20L2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTK110N20L2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTK110N20L2, IXTK110N20L2數據表 (總頁數: 5, 大小: 158.92 KB)
PDFIXTX110N20L2數據表 封面
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IXTK110N20L2規格

制造商IXYS
系列Linear L2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs500nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds23000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)960W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264 (IXTK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

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12mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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