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IXTL2X200N085T

IXTL2X200N085T

僅供參考

型號 IXTL2X200N085T
PNEDA編號 IXTL2X200N085T
描述 MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTL2X200N085T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTL2X200N085T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IXTL2X200N085T, IXTL2X200N085T數據表 (總頁數: 2, 大小: 66.13 KB)
PDFIXTL2X200N085T數據表 封面
IXTL2X200N085T數據表 頁面 2

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IXTL2X200N085T規格

制造商IXYS
系列TrenchMV™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)85V
電流-25°C時的連續漏極(Id)112A
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs152nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7600pF @ 25V
功率-最大150W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱ISOPLUSi5-Pak™
供應商設備包裝ISOPLUSi5-Pak™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.3nC, 38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF, 2300pF @ 30V

功率-最大

3W (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 30V

功率-最大

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3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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