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IXTN46N50L

IXTN46N50L

僅供參考

型號 IXTN46N50L
PNEDA編號 IXTN46N50L
描述 MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTN46N50L資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTN46N50L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTN46N50L, IXTN46N50L數據表 (總頁數: 5, 大小: 85.38 KB)
PDFIXTN46N50L數據表 封面
IXTN46N50L數據表 頁面 2 IXTN46N50L數據表 頁面 3 IXTN46N50L數據表 頁面 4 IXTN46N50L數據表 頁面 5

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IXTN46N50L規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)46A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)20V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 500mA, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs260nC @ 15V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)700W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1310pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta), 11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252, (D-Pak)

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