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IXTP1R6N50P

IXTP1R6N50P

僅供參考

型號 IXTP1R6N50P
PNEDA編號 IXTP1R6N50P
描述 MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP1R6N50P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP1R6N50P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTP1R6N50P, IXTP1R6N50P數據表 (總頁數: 5, 大小: 777.81 KB)
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IXTP1R6N50P數據表 頁面 2 IXTP1R6N50P數據表 頁面 3 IXTP1R6N50P數據表 頁面 4 IXTP1R6N50P數據表 頁面 5

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IXTP1R6N50P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.9nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)43W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

270mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 15V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2083pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

93mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

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4.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

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