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IXTX20N150

IXTX20N150

僅供參考

型號 IXTX20N150
PNEDA編號 IXTX20N150
描述 MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247
制造商 IXYS
單價
1 ---------- $273.5962
50 ---------- $260.7713
100 ---------- $247.9465
200 ---------- $235.1217
400 ---------- $224.4344
500 ---------- $213.7470
庫存 201
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTX20N150資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTX20N150
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTX20N150, IXTX20N150數據表 (總頁數: 5, 大小: 142.93 KB)
PDFIXTK20N150數據表 封面
IXTK20N150數據表 頁面 2 IXTK20N150數據表 頁面 3 IXTK20N150數據表 頁面 4 IXTK20N150數據表 頁面 5

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IXTX20N150規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1Ohm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs215nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

777pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

152nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

714W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

568mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.9mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta)

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