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IXTY01N80

IXTY01N80

僅供參考

型號 IXTY01N80
PNEDA編號 IXTY01N80
描述 MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTY01N80資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTY01N80
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTY01N80, IXTY01N80數據表 (總頁數: 2, 大小: 66.69 KB)
PDFIXTU01N80數據表 封面
IXTU01N80數據表 頁面 2

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IXTY01N80規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds60pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252AA
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6450pF @ 25V

FET功能

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120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

340W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 5V

Vgs(最大)

+6V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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