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JAN1N6626

JAN1N6626

僅供參考

型號 JAN1N6626
PNEDA編號 JAN1N6626
描述 DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N6626資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N6626
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N6626規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/590
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)220V
電流-平均整流(Io)1.75A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 1.2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 220V
電容@ Vr,F40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱E, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 20V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

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200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

160ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1300V

電容@ Vr,F

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