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JAN2N3055

JAN2N3055

僅供參考

型號 JAN2N3055
PNEDA編號 JAN2N3055
描述 TRANS NPN 70V 15A TO-3
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $743.8683
50 ---------- $708.9995
100 ---------- $674.1306
200 ---------- $639.2618
400 ---------- $610.2045
500 ---------- $581.1471
庫存 312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N3055資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N3055
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N3055規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/407
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)70V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 4A, 4V
功率-最大6W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3
供應商設備包裝TO-3 (TO-204AA)

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 1A, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 5mA, 30mA

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10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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