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JANTX2N4957

JANTX2N4957

僅供參考

型號 JANTX2N4957
PNEDA編號 JANTX2N4957
描述 RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N4957資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N4957
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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JANTX2N4957規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)3.5dB @ 450MHz
增益25dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-72-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-72

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Microsemi Corporation

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-

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NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

頻率-過渡

870MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB ~ 9.5dB

功率-最大

2.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

MS1402

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

頻率-過渡

450MHz ~ 512MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

750mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M122

供應商設備包裝

M122

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

21GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

增益

13dB ~ 22.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

4-DFP

BFS 469L6 E6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V, 10V

頻率-過渡

22GHz, 9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

增益

14.5dB

功率-最大

200mW, 250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA, 70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-XFDFN

供應商設備包裝

TSLP-6-1

MS1337

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

18V

頻率-過渡

175MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

70W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

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