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JANTXV2N3636L

JANTXV2N3636L

僅供參考

型號 JANTXV2N3636L
PNEDA編號 JANTXV2N3636L
描述 TRANS PNP 175V 1A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N3636L資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N3636L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N3636L規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/357
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)175V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 50mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-5

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 6V

功率-最大

250mW

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工作溫度

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Through Hole

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當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 1A, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 1A, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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