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JANTXV2N5666U3

JANTXV2N5666U3

僅供參考

型號 JANTXV2N5666U3
PNEDA編號 JANTXV2N5666U3
描述 TRANS NPN 200V 5A U3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N5666U3資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N5666U3
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N5666U3規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/455
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)200V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 1A, 5A
當前-集電極截止(最大值)200nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 1A, 5V
功率-最大1.2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝U3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 2mA, 10V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 500mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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