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JTDB25

JTDB25

僅供參考

型號 JTDB25
PNEDA編號 JTDB25
描述 RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JTDB25資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JTDB25
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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JTDB25規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)55V
頻率-過渡960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益7.5dB
功率-最大97W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 500mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱55AW-1
供應商設備包裝55AW-1

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 1mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-

安裝類型

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

1.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9.5dB

功率-最大

500W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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