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KSB1017YTU

KSB1017YTU

僅供參考

型號 KSB1017YTU
PNEDA編號 KSB1017YTU
描述 TRANS PNP 80V 4A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 18,504
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB1017YTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB1017YTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB1017YTU, KSB1017YTU數據表 (總頁數: 5, 大小: 213.05 KB)
PDFKSB1017YTU數據表 封面
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KSB1017YTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.7V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)30µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 5V
功率-最大25W
頻率-過渡9MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1.5A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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頻率-過渡

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 160mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

7 @ 800mA, 1V

功率-最大

50W

頻率-過渡

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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