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KSP45TA

KSP45TA

僅供參考

型號 KSP45TA
PNEDA編號 KSP45TA
描述 TRANS NPN 350V 0.3A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 27 - 四月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSP45TA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSP45TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSP45TA, KSP45TA數據表 (總頁數: 9, 大小: 381.45 KB)
PDFKSP45BU數據表 封面
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KSP45TA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 10V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 5V

功率-最大

36W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

625mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.7V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

9MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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