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KSP62BU

KSP62BU

僅供參考

型號 KSP62BU
PNEDA編號 KSP62BU
描述 TRANS PNP DARL 20V 0.5A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSP62BU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSP62BU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSP62BU, KSP62BU數據表 (總頁數: 4, 大小: 35.28 KB)
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KSP62BU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 10µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20000 @ 10mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡125MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

420mV @ 235mA, 4.7A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

830mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

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60 @ 10mA, 5V

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