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BCW70LT1G

BCW70LT1G

僅供參考

型號 BCW70LT1G
PNEDA編號 BCW70LT1G
描述 TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 46,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCW70LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCW70LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BCW70LT1G, BCW70LT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 227.38 KB)
PDFBCW70LT1G數據表 封面
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BCW70LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce215 @ 2mA, 5V
功率-最大225mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

275V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.25A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 10A, 3V

功率-最大

6W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

180V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

230 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 2V

功率-最大

50W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

175V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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