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KST5179MTF

KST5179MTF

僅供參考

型號 KST5179MTF
PNEDA編號 KST5179MTF
描述 RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KST5179MTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KST5179MTF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KST5179MTF, KST5179MTF數據表 (總頁數: 3, 大小: 45.24 KB)
PDFKST5179MTF數據表 封面
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KST5179MTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡900MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)4.5dB @ 200MHz
增益15dB
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 3mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-323

制造商

CEL

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

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