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LH5116-10F

LH5116-10F

僅供參考

型號 LH5116-10F
PNEDA編號 LH5116-10F
描述 IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP
制造商 Sharp Microelectronics
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LH5116-10F資源

品牌 Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LH5116-10F
類別半導體內存IC內存
數據表
LH5116-10F, LH5116-10F數據表 (總頁數: 19, 大小: 339.79 KB)
PDFLH5116-10F數據表 封面
LH5116-10F數據表 頁面 2 LH5116-10F數據表 頁面 3 LH5116-10F數據表 頁面 4 LH5116-10F數據表 頁面 5 LH5116-10F數據表 頁面 6 LH5116-10F數據表 頁面 7 LH5116-10F數據表 頁面 8 LH5116-10F數據表 頁面 9 LH5116-10F數據表 頁面 10 LH5116-10F數據表 頁面 11

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LH5116-10F規格

制造商Sharp Microelectronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱24-DIP (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝24-DIP

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

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內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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